La frecuencia de corte de un transistor está determinada principalmente por las dimensiones de su base. Pero por medios mecánicos es imposible formar una base de muy pequeñas dimensiones. Para obtener transistores que trabajen en elevadas frecuencias se recurre a la tecnología de unión difusa (fig. 6.7).

Para la fabricación de transistores de unión difusa se parte de un transistor de unión. Una extremidad de la barra se funde en forma de gota y de manera que pueda recristalizarse de nuevo. Durante el enfriamiento el germanio de base se difunde entre la parte difundida y la parte solidificada; este proceso motiva una considerable disminución del espesor de la base.

El control del espesor de la base se realiza por medio de las variaciones de temperatura y el tiempo de difusión, con lo cual se obtienen bases con muy pocas micras de espesor.

El transistor de unión difusa tiene propiedades similares al transistor de unión, pero presenta una respuesta más elevada para la alta frecuencia.

Transistor de Unión Aleada

La mayor parte de los transistores que actualmente existen en el mercado y todos los transistores de potencia son fabricados utilizando esta tecnología.

Para la fabricación de los transistores de unión aleada se parte de un pequeño bloque de germanio N. En dos caras opuestas de este bloque se efectúan dos soldaduras con indio, lo que motiva la formación de germanio tipo P.

En la figura 6.8 se representa el interior de un transistor fabricado siguiendo este método. Las soldaduras que se le introducen en el bloque de germanio constituyen el colector y el emisor. Y como es natural el bloque forma la base.

La formación del germanio tipo P depende del tiempo y la temperatura de la soldadura. Se regulan muy cuidadosamente estas magnitudes para obtener un espesor de base del orden de 0,05 mm.