La necesidad de poseer transistores que trabajen a frecuencia muy elevadas motiva la necesidad de obtener bases de un espesor consideralemente muy reducido. No seria lógico realizar espesores de base considerablemente pequeño por un procedimiento puramente mecánico. Para ello se proyectan dos chorros muy finos de una solución de una sal de indio sobre las caras opuestas de un cristal delgado de germanio del tipo N. al mismo tiempo se aplica una corriente continua a estos dos chorros de líquido de manera que se produzca en ellos un ataque electrolítico. La operación continúa hasta que estos dos chorros perforan casi la lámina. Cuando se alcanza el espesor deseado, se invierte la polaridad de la corriente. Inmediatamente se produce un depósito de indio en cada cara de la laminilla. Estos depósitos penetran un poco en el cristal formando capas tipo P del emisor y del colector; sus partes exteriores reciben los electrodos correspondientes. En la figura 6.9 se representa la forma básica de un transistor de superficie de barrera. Es espesor de la base suele ser, aproximadamente de 0,006 a 0,01 mm.

Estos transistores son muy adecuados para etapas de elevada frecuencia, pero de muy reducida potencia. Son aptos para trabajar con frecuencias de los 100 Mhz, pero con tensiones máximas de 6V.

Transistor de Aleación Difusa

Para la construcción de este tipo de transistor se toma un minúsculo disco de germanio tipo P de un espesor del orden de 0,1 mm y que constituirá la región del colector del transistor. Mediante difusión se produce sobre la superficie del semiconductor una capa N, cuyo espesor se puede controlar convenientemente. Acto seguido se colocan sobre esta parte del cristal N dos bolitas metálicas, una junto a la otra, y a una pequeña distancia de separación cuidadosamente determinada. Una de esta olitas, la que constituye el electrodo de base, contiene impuresa tipo N y la otra, que constituirá el electrodo de emisor, contiene ambos tipos de impuresas, es decir, del tipo P y del tipo N.

El conjunto se somete a un proceso de calentamiento controlado y las impurezas de las bolitas de la base y del emisor se esparcen dentro del germanio que se halla en un estado pastoso. Las impurezas tipo N son seleccionadas para obtener una elevada profundidad de difusión y penetración en el interior del germanio. La impureza tipo P de la bolita del emisor se esparce lentamente hasta obtener un espesor limitado.

Durante el proceso de enfriamiento y de cristalización en la región del emisor es predominante el material de tipo P, separándose del colector (tamién zona de tipo P) mediante una zona formada por la difusión por material de tipo N, el cual actua como base.

Seguídamente se elimina la capa N mediante ataque químico, excepto la parte comprendida entre las dos bolas y la situada deajo de las mismas.

Finalmente se monta el transistor después de limpiar cuidadosamente la superficie.

En la figura 7.0 se ha representado la forma que toma un transistor de aleación difusa, antes de ser introducido en el estuche protector.

Transistor Mesa

Su nombre se deriva más bien por su apariencia física que por el proceso de fabricsación. Hay que destacar que la designación "mesa" se dee al hecho de que la forma del bloque de germanio recuerda la de ciertas montañas de América del Sur que llevan este nombre.

Para su construcción se parte de un bloque de germanio tipo P, en cuya cara interior se suelda una lámina de oro para establecer el contacto colector.

En la cara opuesta se introducen impurezas del tipo N; la introducción de impurezas se realiza por evaporación de antimonio que se diofunde lentamente sobre la superficie del germanio.

El contacto de base es un metal neutro (oro) igualmente aplicado por evaporación, esta misma técnica se utiliza para el emisor, salvo que se utiliza aluminio, el cual forma una aleación con el germanio tipo N de la base, y de este modo se hace con el germanio de tipo P. La concentración de las impurezas es muy elevada en la región del emisor, el cual admite una densidad de corriente relativamente elevada. En la figura 7.1 se representa la constitución de un transistor mesa.

Los transistores son teóricamente baratos para la producción , y tienen excelentes características para trabajar en etapas de potencia de alta frecuencia.