Para verificar de manera aproximada el estado de un transistor, se procede como si éste fuese dos diodos conectados entre sí por extremos de igual polaridad.

En general, se fabrican dos modelos de transistor; los de baja potencia, utilizados para circuitos de baja corriente con factor de amplificación alto (Beta = 200 o más) y tamaño reducido,y los de buena potencia, con bajo factor de amplificación (no más de 40), buena capacidad de corriente en sus terminales, de buen tamaño, y generalmente provistos de un sistema de refrgeración que permite la rápida evacuación del calor generado en la disipación de la potenicia.

Para el chequeo de transistores de baja potencia coloque el OHMETRO (multímetro) en Rx10 (X.10) para que sea pequeña la corriente que salga y no se dañe el semiconductor. En transistores de alta potencia se puede colocar en Rx1 (X.1).

· Transistor PNP Coloque la punta negra (terminal negativo del chequeador) en la base y toque con la roja sucesivamente los dos extremos, emisor y colector, como si estuviese verificando dos diodos. En esta posición debe el multímetro marcar alta resistencia.

Verifique ahora que no haya corto entre emisor y colector; al medir entre estas dos terminales debe marcar alta resistencia en los dos sentidos.

Invierta el chequeo: coloque la punta roja o positiva en la base y toque en forma alternada al emisor y al colector; debe marcar baja resistencia (de 1 a 20 ohmios) en ambas posiciones.

· Transistor NPN Se procede de igual manera que en el caso anterior, sólo que con este tipo de transistor la aguja muestra alta resistencia cuando la punta roja (positiva), se encuentra sobre la base.

Este chequeo aunque sirve en la mayoría de los casos, no es muy exacto. No muestra los posibles cambios de características (alfa, beta, potencia, etc.) debido a la fatiga térmica, y ocasionados por microscópicas fisuras o deteriodo del semiconductor, o sus electrodos, cuando es sometido a sucesivas contracciones y dilataciones causadas por calentamientos y enfriamientos. Es por esto que la vida útil de un dispositivo semiconductor está determinada por la cantidad de siclos térmicos que puede soportar sin sufrir deteriodo apreciable (un calentamiento seguido de un enfriamiento conforman un ciclo térmico).