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Arquitectura de ordenadores

Autor: Fernando Guerrero
Curso:
8,77/10 (281 opiniones) |42738 alumnos|Fecha publicación: 11/06/2004

Capítulo 6:

 Clasificación de memorias

Clasificación de memorias semiconductoras de acceso aleatorio

Las memorias se clasifican, por la tecnología empleada y, además según la forma en que se puede modificar su contenido, A este respecto, las memorias se clasifican en dos grandes grupos:

1) Memorias RAM: Son memorias en las que se puede leer y escribir, si bien su nombre (Random access memory) no representa correctamente este hecho. Por su tecnología pueden ser de ferritas (ya en desuso) o electrónicas. Dentro de éstas últimas hay memorias estáticas (SRAM, static RAM), cuya célula de memoria está basada en un biestable, y memorias dinámicas (DRAM, dinamic RAM, en las que la célula de memoria es un pequeño condensador cuya carga representa la información almacenada. Las memorias dinámicas necesitan circuitos adicionales de refresco ya que los condensadores tienen muy poca capacidad y, a través de las fugas, la información puede perderse, por otra parte, son de lectura destructiva.

2) Memorias ROM (Read 0nly Memory): Son memorias en las que sólo se puede leer. Pueden ser:

a) ROM programadas por máscara, cuya información se graba en fábrica y no se puede modificar.

b) PROM, o ROM programable una sola vez.

c) EPROM (erasable PROM) o RPROM (reprogramable ROM), cuyo contenido puede borrarse mediante rayos ultravioletas para regrabarlas.

d) EAROM (electrically alterable ROM) o EEROM (electrically erasable ROM), que son memorias que está en la frontera entre las RAM y las ROM ya que su contenido puede regrabarse por medios eléctricos, estas se diferencian de las RAM en que no son volátiles. En ocasiones a este tipo de memorias también se las denomina NYRAM (no volátil RAM).

e) Memoria FLASH, denominada así por la velocidad con la que puede reprogramarse, utilizan tecnología de borrado eléctrico al igual que las EEPROM. Las memorias flash pueden borrar-e enteras en unos cuantos segundos, mucho más rápido que las EPROM.

Básicamente las memorias ROM se basan en una matriz de diodos cuya unión se puede destruir aplicando sobre ella una sobretensión (usualmente comprendida ente -12.5 y -40 v.). De fábrica la memoria sale con 1's en todas sus posiciones, para grabarla se rompen las uniones en que se quieran poner 0's. Esta forma de realizar la grabación se denomina técnica de los fusibles.

Bibliografía: Bastida, J.: Introducción a la Arquitectura de Computadores. Secretariado de Publicaciones de la Universidad de Valladolid, 1995

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